بررسی و مقایسه موبیلیتی ترانزیستور بر مبنای Si و MoS2 لایه نازک
Publish place: The first national conference on electrical engineering of the Young and Elite Researchers Club
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 617
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
BPJCEE01_121
تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1395
Abstract:
با توجه به اینکه تکنولوژی به سمت کمتر شدن حجم می رود هدف از انجام این مقاله استفاده از این مواد در ادوات نیمه هادی مورد استفاده در مدارهای مجتمع مانند ترانزیستور است. بر خلاف گرافن، باند گپ پایین (1-ev2) موجود در لایه های نیمه هادی مولبیدن دی سولفات که بوسیله مهندسی موبیلیتی آن افزایش یافته است یک جذابیت دست یافتنی برای استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان مولبیدن دی سولفات تک لایه با لایه عایق اضافی high-K است که می تواند محدودیت های تجاری سازی آنرا توجیه کند.
Keywords:
Authors
سمیه عمرانی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
فرحناز ذاکریان
دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
مجید پوراحمدی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :