محاسبه بازده کوانتومی و مشخصات ولتاژ - جریان سلول های خورشیدی لایه نازک CZTS
Publish place: The first national conference on electrical engineering of the Young and Elite Researchers Club
Publish Year: 1395
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 2,395
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
BPJCEE01_216
Index date: 24 February 2017
محاسبه بازده کوانتومی و مشخصات ولتاژ - جریان سلول های خورشیدی لایه نازک CZTS abstract
در این مقاله، یک مدل تحلیلی برای محاسبه کوانتومی داخلی و مشخصات جریان ولتاژ سلول های خورشیدی لایه نازک مبتنی بر CZTS ارائه داده شده است. به کمک نتایج، می توان مشاهده نمود که با کاهش پهنای بیس و افزایش شدت، بازدهی کوانتومی داخلی و مشخصه ی ولتاژ - جریان J-V افزایش می یابد. همچنین مشاهده گردید که نمودارهای بدست آمده نسبت به انتقال حفره ها حساسیت دارند. همچنین مشاهده می شود که بازدهی کوانتومی داخلی برای انتقال حفره ها در طول موج های بلندتر نسبت به طول موج های کوتاه تر، بیشتر است. از این رو، مدل پیشنهادی در این تحقیق به صورتی مشروح دیدگاه فیزیکی این سلول های خورشیدی لایه نازک را توضیح می دهد. همچنین نشان داده شد که بازدهی کوانتومی داخلی سلول های خورشیدی CZTS و پارامترهای فیزیکی دیگر آن به چه صورت با دما تغییر خواهد داشت.
محاسبه بازده کوانتومی و مشخصات ولتاژ - جریان سلول های خورشیدی لایه نازک CZTS Keywords:
محاسبه بازده کوانتومی و مشخصات ولتاژ - جریان سلول های خورشیدی لایه نازک CZTS authors
راضیه نعمتی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات فارس
حیدر ایزدنشان
دانشگاه آزاد اسلامی واحد مرودشت
زهرا غفاری زاده جهرمی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد مرودشت
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :