بررسی اثرمیزان تخلخل برخواص فتودیودی CdO/PSi/Si به روش طیف سنجی تونلی روبشی (STS)
Publish place: 3rd National Conference on Vacuum
Publish Year: 1386
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,895
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
NCV03_009
Index date: 22 August 2008
بررسی اثرمیزان تخلخل برخواص فتودیودی CdO/PSi/Si به روش طیف سنجی تونلی روبشی (STS) abstract
در این پژوهش اثر میزان تخلخل برخواص فتودیودی نمونه های چندلایه ای CdO/PSi/Si روش طیف سنجی تونلی روبشی ( SpectroscopyScanning Tunneling ) مطالعه شد. لایه سیلیکن متخلخل ( PSi) کمک آندایزالکتروشیمیایی سیلیکین نوع +p ولایه اکسید کادمیم ( CdO) به روش لایه نشانی لیزر پالسی و در فشار torr10-5 ساخته شد. نمونه هارا در هوا و به مدت 10 دقیقه در دمای 500 درجه سانتیگراد پخت کردیم تا کمبوداکسیژن در آنها جبران شود. ضخامت و قطر حفرات لایه متخلخل، و مورفولوژی لایه اکسید کادمیم به روشهای AFM و SEM بررسی شدند. طیف XRD و طیف عبور اپتیکی به منظور بررسی خواص کریستالی و تعیین شکاف انرژی اکسید کادمیم استفاده شدند. با تغییر پارامترهای موثر در آندایز الکتروشیمیایی سیلیکن، نمونه های CdO/PSi/Si با درصد تخلخل های مختلف ساخته شدند. بررسی منحنی جریان - ولتاژ نمونه ها در حضور نور و تاریکی به روش طیف سنجی تونلی روبشی (STS) وجود یک درصد تخلخل بهینه را به منظور بهبود خواص فتودیودی نمونه ها نشان داد.
بررسی اثرمیزان تخلخل برخواص فتودیودی CdO/PSi/Si به روش طیف سنجی تونلی روبشی (STS) authors
محمود صمدپور
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف تهران
اعظم ایرجی زاد
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف تهران
سید محمد مهدوی
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف تهران
عباس آذریان
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف تهران