مدلسازی سلف حافظه دار و یک نمونه کاربرد آن در اسیلاتور آشوب
Publish place: Conference on the Development of Advanced Research in Electrical and Computer Engineering
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 492
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ECCIRD01_003
تاریخ نمایه سازی: 6 اردیبهشت 1396
Abstract:
قطعات ممریستیو معروف به عناصر حافظه دار شامل مقاومت های حافظه دار، خازن حافظه دار و سلف حافظه داردر مقیاس نانو قابل پیاده سازی بوده و به راحتی می توان رفتار آن ها را با مدارات الکترونیکی شبیه سازی کرد. در این مقاله مدل فیزیکی سلف حافظه دار از روی مدل فیزیکی مقاومت حافظه دار در نرم افزار (ADS(Advance Design System طراحی و شبیه سازی شده و در نهایت کاربرد آن در یک نمونه اسیلاتور ساز آشوب مبتنی بر سلف حافظه دار بررسی و شبیه سازی شده است.
Authors
فرید ستوده
استادیار دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی اراک، اراک
مسعود دوستی
دانشیار دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه آزاد اسلامی علوم و تحقیقات تهران ، تهران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :