تحلیل و طراحی نوسان ساز آشوب هارتلی مبتنی بر خازن حافظه دار در فرکانس بالا
Publish place: Conference on the Development of Advanced Research in Electrical and Computer Engineering
Publish Year: 1395
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,061
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ECCIRD01_005
Index date: 26 April 2017
تحلیل و طراحی نوسان ساز آشوب هارتلی مبتنی بر خازن حافظه دار در فرکانس بالا abstract
مقاومت حافظه دار یا ممریستور که به عنوان چهارمین عنصر پایه بعد از مقاومت، خازن و سلف معرفی شده است، یکقطعه دو پایه است که در ابعاد مقیاس نانو میشود و مقاومت آن به دامنه، پلاریته و مدت زمان ولتاژ اعمالی به آنبستگی دارد. عناصر دیگری از خانواده عناصر حافظه دار نظیر خازن های حافظه دار و سلف های حافظه دار شناسایی وپیاده سازی شده اند. این المان ها که به قطعات ممریستیو معروف می باشند در مقیاس نانو قابل پیاده سازی بوده و بهراحتی می توان رفتار آنها را با مدارات الکترونیکی شبیه سازی کرد. در این مقاله ابتدا تکنولوژی ساخت و مدلفیزیکی خازن های حافظه دار بررسی شده است سپس از این المان در طراحی اسیلاتور هارتلی فرکانس بالا مبتنی برتکنولوژی ساخت 0.18 میکرون با رفتار آشوبناک استفاده شده است.
تحلیل و طراحی نوسان ساز آشوب هارتلی مبتنی بر خازن حافظه دار در فرکانس بالا Keywords:
تحلیل و طراحی نوسان ساز آشوب هارتلی مبتنی بر خازن حافظه دار در فرکانس بالا authors
فرید ستوده
استادیار دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی اراک، اراک
مسعود دوستی
دانشیار دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه آزاد اسلامی علوم و تحقیقات تهران ، تهران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :