ترانزیستورهای تونلی بر اساس اکسید تیتانیوم برروی ویفر سیلیکان
Publish place: 12th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1383
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,453
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ICEE12_183
Index date: 4 October 2008
ترانزیستورهای تونلی بر اساس اکسید تیتانیوم برروی ویفر سیلیکان abstract
در این مقاله ترانزیستورهای تونلی بر اساس ترکیب مناسبی از اکسید تیتانیوم و سیلیساید نیکل برروی ویفر سیلیکان ( 100 ) با موفقیت ساخته شده و نتایج مربوط به خواص الکتریکی - فیزیکی این ادوات بررسی می گردند . در این ادوات لایه اکسید تیتانیوم بعنوان سدی در مقابل تونل زنی از لایه بالایی به لایه سیلیساید میانی عمل کرده که با اعمال ولتاژ مناسب پدیده تونل زنی اتفاق افتاده و جریان الکتریکی حادث می گردد. این ساختار همانند ترانزیستورهای دو قطبی عمل کرده و از سه ناحیه امیتر – بیس و کلکتور تشکیل شده که هر سه لایه توسط اکسید تیتانیوم از هم جدا شده اند . لایه نشانی کلیه نواحی این ترانزیستورها توسط تکنیک پراکنش و بصورت پشت سر هم انجام شده است و با انتخاب ضخامتهای مناسب ضریب تقویت جریان برابر با 12 بدست آمده است . در ادامه کار و در جهت بهبود ساختار ترانزیستورها اکسید تیتانیوم با روش بخار شیم یایی استفاده شده است که ضریب دی الکتریکی در حد 19 الی 21 بدست آمده است. همچنین میدان شکستی برابر با 10به توان7 v/cm حاصل شده است.
ترانزیستورهای تونلی بر اساس اکسید تیتانیوم برروی ویفر سیلیکان Keywords:
ترانزیستور تونلی , تقویت جریان , اکسید تیتانیوم , سیلیساید نیکل , لایه نشانی با بخار شیمیایی , سیلیکان
ترانزیستورهای تونلی بر اساس اکسید تیتانیوم برروی ویفر سیلیکان authors
اشکان بهنام
آزمایشگاه لایه نازک - گروه مهندسی برق و کامپیوتر دانشکده فنی دانشگاه
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :