بررسی خواص اپتوالکترونیکی فیلم نازک اکسید قلع به روش افشاندن و کاربردآن بعنوان حسگر گاز
Publish place: 12th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1383
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,612
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ICEE12_190
Index date: 4 October 2008
بررسی خواص اپتوالکترونیکی فیلم نازک اکسید قلع به روش افشاندن و کاربردآن بعنوان حسگر گاز abstract
در این مقاله اثرات تغییرات فشار گاز حامل ، فاصله دهانه خروجی گاز تازیرلایه و دما به روش افشاندن (Spraying) برروی فرانمایی (شفافیت) وهدایت الکتریکی لایه های نازک SnO2 مورد بررسی قرار گرفته است . از این لایه ها به عنوان حسگرهای گاز استفاده شده است . علاوه بر آن اثرات تغییرات دما برروی پارامترهای مذکور به روش لایه نشانی بخار شیمیایی (CVD) نیز گزارش شده است. در هردو روش برای ساخت لایه های نازک اکسید قلع از محلول SnCl4 استفاده شده است.در روش افشاندن ، فشار گاز حامل ، فاصله لایه نشانی تا زیر لایه و دما جهت پیدا کردن یک مقدار بهینه در هر کدام از متغیرهای فوق مورد مطالعه قرار گرفت وحالت بهینه به ترتیب ٥ لیتر بر دقیقه، ٢ سانتیمتر و ٢٨٠ درجه سانتیگرادبدست آمد . در ضمن دمای بهینه در روش CVD و400 درجه سانتیگراد تعیین شد. پس از ساخت نمونه ها منحنی تغییرات مقاومت سطحی ، شفافیت (فرانمایی)، ضخامت برحسب متغیرهای ذکر شده و منحنی حساسیت حسگرهای گاز انجام پذیرفت. نتایج بدست آمده موردمطالعه قرارگرفت و با یکدیگر مقایسه شد.
بررسی خواص اپتوالکترونیکی فیلم نازک اکسید قلع به روش افشاندن و کاربردآن بعنوان حسگر گاز Keywords:
بررسی خواص اپتوالکترونیکی فیلم نازک اکسید قلع به روش افشاندن و کاربردآن بعنوان حسگر گاز authors
علیرضا صالحی
دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی – دانشکده مهندسی برق -آزمایشگاه
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :