طراحی یک تقویتکننده کم نویز در باند Ku در تکنولوژی 0.18μm CMOS با خطینگی بالا
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 331
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CEPS04_053
تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396
Abstract:
در این مقاله یک تقویتکننده کمنویز در گسترهی فرکانسی 18-12 گیگاهرتز با استفاده از تکنولوژی سیماس µm 18/0 طراحی شده است. تقویتکنندهی ارایه شده از ساختار استفاده مجدد از جریان پیروی میکند، تا مصرف توان حداقل شود و یک چگالی جریان بهینه برای طراحی تقویتکننده کمنویز انتخاب شده. سپس با کاهش عوامل غیر خطی یعنی gmو gm′ ، پارامتر IIP3 تقویتکننده افزایش داده می شود. تقویتکننده ′′نهایی دارای نویز فیگر 1dB/3 ، بهرهی 12dB و ضرایب بازگشت ورودی و خروجی کمتر از 10dB -است. مقدارIIP3 تقویت کننده طراحی شده dBm 3 +است.
Keywords:
Authors
مجتبی رضایی
کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد واحد اراک،
حسین خالقی بیزکی
دانشگاه صنعتی مالک اشتر،
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :