طراحی و شبیه سازی سنسور فشار تشدیدی میکروالکترومکانیکی سه غشایی
Publish place: اولین همایش ملی فن آوری در مهندسی کاربردی
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 334
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCTAE01_124
تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396
Abstract:
در این مقاله یک سنسور فشار تشدیدی سه غشایی که در مد موجی ارتعاش می کند گزارش می شود. این سنسور از جنس سیلیکون بوده و براساس تکنولوژی MEMS طراحی شده است. مد موجی نسبت به اعمال فشار حساس بوده و براساس فشار اعمالی به آن فرکانس ارتعاش اش جابجا می شود. ابعاد کلی ساختار سنسور سه غشایی 400μm × 20μm × 20μm، ابعاد سه غشاء 200μm × 2μm × 20μm و ابعاد تیر نگهدارنده 20μm×1μm×1μm در نظر گرفته شده است. میزان جابجایی فرکانسی برای سه غشایی بدون تیر نگهدارنده برای مد دهم از 0/5 مگا هرتز کمتر می باشد. در فرکانس تشدید MHz 101 سنسور سه غشایی بدون تیر نگهدارنده، دوغشاء کناری جابجایی برابر 2/8MHz و غشاء وسط 3/4MHz جابجایی فرکانسی تحت اعمال فشار دارد.
Keywords:
Authors
حسن کمالی
دانشجو گروه الکترونیک، دانشکده فنی مهندسی، واحد بندرعباس، دانشگاه آزاد اسلامی، بندرعباس، ایران
فرشاد بابازاده
استادیار گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :