بررسی مشخصه های ناشی از تابش اشعه گاما در دیود نوری PIN ژرمانیومی

Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 608

This Paper With 9 Page And PDF and WORD Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ELEMECHCONF04_020

تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396

Abstract:

تشعشع پرتوهای گاما بر دیود نوری ژرمانیومی PIN، پارامترهای مطلوب این فوتودیود را به خاطر آسیب های فیزیکی وارده، کاهش می دهد. در این مقاله، اثر دوز گاما بر جریان روشنی و تاریکی در دیود نوری PIN ژرمانیومی را بررسی، و برای تایید روابط تحلیلی، مدلی را به کمک نرم افزار سیلواکو-اطلس شبیه سازی کردیم. در این مدل، دیود نوری ژرمانیومی را در چندین بایاس معکوس، تحت تابش منبع گاما با طول موج 300 نانومتر قرار دادیم و به ارتباطی منطقی بین نتایج تحلیلی و شبیه سازی رسیدیم. نتایج نشان داد که جریان تاریکی در دیود نوری ژرمانیومی، توسط تابش دوزهای مختلف اشعه گاما، به طور قابل توجهی افزایش یافته است.

Authors

هانیه کرم

مربی، دانشگاه کردستان

محمد رزاقی

دانشیار، دانشگاه کردستان

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • وانتشارات و چاپ دانشگاه تهران، 1387. چاپ دوم 4 صفحه ...
  • silicon wafers." Micro electron ics Journal 39.12 (2008): 1 485-1490. ...
  • _ _ _ _ _ _ _ _ tho fiAld ...
  • hvbrid photo diodes. _ Svntletic Metals (2016). ...
  • نمایش کامل مراجع