طراحی و شبیه سازی تمام جمع کننده توان پایین و سرعت بالا با استفاده از نانو لوله های کربنی

Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 445

This Paper With 11 Page And PDF and WORD Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ELEMECHCONF04_051

تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396

Abstract:

در این مقاله یک سلول تمام جمع کننده یک بیتی و چهار بیتی CLA مبتنی بر CNFET سرعت بالا و با کارایی بالا برای کاربردهای ولتاژ پایین و توان پایین ارایه می شود. سلول تمام جمع کننده پیشنهادی با استفاده از روش GDI سیگنالهای Sum و Cout را تولید می کند. مزیت بزرگ ساختار پیشنهادی تعداد کمتر ترانزیستورهای استفاده شده می باشد که متشکل از 14 ترانزیستور CNT برای تمام جمع کننده یک بیتی است. آزمایش های جامع در شرایط مختلف به ازای ولتاژهای تغذیه، خازن های بار، فرکانس های کاری و دمای کاری مختلف برای ارزیابی عملکرد طرح پیشنهادی به انجام رسیده اند. شبیه سازی ها با استفاده از HSPICE Synopsys با فن آوری 32nm-CNFET انجام شده اند. نتایج شبیه سازی برتری طراحی پیشنهادی از نظر سرعت، توان مصرفی و حاصلضرب تاخیر در توان (PDP) را در مقایسه با سایر سلول های تمام جمع کننده کلاسیک مبتنی بر CMOS نشان می دهد.

Keywords:

سلول تمام جمع کننده یک بیتی , تمام جمع کننده چهار بیتی CLA , ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربنی (CNTFET) , روش GDI , ولتاژ پایین و توان پایین , حاصلضرب توان-تاخیر(PDP

Authors

سیدقاسم بازیاری

گروه مهندسی برق-الکترونیک، واحد کازرون،دانشگاه آزاد اسلامی،کازرون،ایران

حمید آزادیان

گروه مهندسی برق-الکترونیک، واحد کازرون،دانشگاه آزاد اسلامی،کازرون،ایران

مهدی تقی زاده

گروه مهندسی برق-الکترونیک، واحد کازرون،دانشگاه آزاد اسلامی،کازرون،ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • Budnik, M., Rayc howdhury, A., Bansal, A., and Roy, K. ...
  • Soldano, C., Mahmood, A. &Dujardin, E. (2010) , " Production, ...
  • Islam, A., Akram, M., Hasan, M. (2011), «Variability Immune FinFET-B ...
  • Panda, S., Maji, A. B. B., Mukhop adhyay, A. (2012), ...
  • Navi, K., Saatchi, M.R., Daei, O. (2009), ،A High-Speed Hybrid ...
  • Goel, S.., Kumar, A., Bayoumi, M. A. (2006), «Design of ...
  • Shams, A. M., Darwish, T. K., Bayoumi, M. A. (2002), ...
  • Bethune, D.S., et al. (1993), _ Cobalt- catalysed growth of ...
  • Raffi-Tabar, H. (2004), _ C omputational modelling of thermo- mechanical ...
  • Wei, B.Q., Vajtai, R., and Ajayan, P.M. (2001), «Reliability and ...
  • Deng, J. and Wong, H.S.P. (2007), 4A compact SPICE model ...
  • Integrated Circuits: A Digital؛ , (2002) [11] Rabaey, M., Chandrakas ...
  • Zimmermann, R. and Fichtner, W. (1997), _ power logic styles: ...
  • Junming, Lu. (2001), «A novel 10-transistor low-power high-speed fulladder cell?, ...
  • Wang, Y., et al. (2002), " Design and analysis of ...
  • Navi, K., Maeen, M. and Hashemipour, O. (2009), 00An energy ...
  • Radhakri shnan, D. (2001), *Low-voltage low-power CMOS full adder, ' ...
  • Zhang, M., Gu, J., and Chang, C.H. (2003), ،A novel ...
  • Chang, C.-H., Gu, J., and Zhang, M. (2005), ،A review ...
  • Goel, S., Kumar, A., and Bayoumi, M. A. (2006), «Design ...
  • Style, " IEEE Trans. Very Large Scale Integr. (VLSI) Syst., ...
  • Morgenshtein, A., Fish, A., and Wagner, I. A. (2002), _ ...
  • Morgenshtein, A., Fish, I., Wanger, A. (2001), ،، Gate-D iffusion ...
  • Sajid, A., Nafees, A., Rahman, S. (2013), «Design and Impl ...
  • Kavehei, O., Rahimi Azghadi, M., Navi, K., Mirbaha A. P. ...
  • Weste, N.., and Eshraghian, K. (1993), «Principles of CMOS VLSI ...
  • Chang, C. H., Gu, J., and Zhang, M. (2005), «A ...
  • Goel, S., Kumar, A.., and Bayoumi, M. A. (2006), «Design ...
  • Moaiyeri, M.H., Faghih Mirzaee, R., Navi, K., Momeni, A. (2012), ...
  • نمایش کامل مراجع