طراحی یک سلول حافظه ایستا با قابلیت اطمینان بالا در برابر خطای نرم در تکنولوژی نانو لوله کربنی
Publish place: چهارمین کنفرانس ملی و دومین کنفرانس بین المللی پژوهش های کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک
Publish Year: 1395
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 559
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ELEMECHCONF04_121
Index date: 2 August 2017
طراحی یک سلول حافظه ایستا با قابلیت اطمینان بالا در برابر خطای نرم در تکنولوژی نانو لوله کربنی abstract
در این مقاله یک نوع سلول حافظه ایستا با دستیابی تصادفی متشکل از 17 ترانزیستور و مقاوم در برابر خطای نرم ناشی از برخورد ذرات پر انرژی ارایه شده است. اساس کار سلول ارایه شده در این مقاله استفاده ازکلید های مکمل به منظور حذف بار تزریق شده ناشی از برخورد ذره پر انرژی که اساس آن استفاده از دو سیگنال تازه سازی قبل از عملیات نوشتن و خواندن جهت جلوگیری از انتشار خطای احتمالی و در نتیجه افزایش قابلیت اطمینان نهایی سلول می باشد. هدف از این مقاله معرفی سلول جدید حافظه با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله ی کربنی است که به نسبت به مدل CMOS مشابه آن، تاخیر کمتر و نیز توان مصرفی پایین تری داشته باشد. این تحقیق به کمک ابزار شبیه سازیHSPISE در تکنولوژی 32 نانومتر و 0.18 میکرو متر بوده و با به کارگیری مدل کتابخانه ای ارایه شده در دانشگاه استندفورد انجام شده است
طراحی یک سلول حافظه ایستا با قابلیت اطمینان بالا در برابر خطای نرم در تکنولوژی نانو لوله کربنی Keywords:
نانولوله کربنی ها , سلول ایستا با دستیابی تصادفی , تازه سازی , خطای نرم , توان مصرفی , حاشیه نویز استاتیک
طراحی یک سلول حافظه ایستا با قابلیت اطمینان بالا در برابر خطای نرم در تکنولوژی نانو لوله کربنی authors
مصطفی خیاطی
کارشناسی ارشد مهندسی برق-الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی
امیر نیکنام
کارشناس ارشد مهندسی برق-الکترونیک، دانشگاه گرمسار