طراحی یک سلول حافظه ایستا با قابلیت اطمینان بالا در برابر خطای نرم در تکنولوژی نانو لوله کربنی

در این مقاله یک نوع سلول حافظه ایستا با دستیابی تصادفی متشکل از 17 ترانزیستور و مقاوم در برابر خطای نرم ناشی از برخورد ذرات پر انرژی ارایه شده است. اساس کار سلول ارایه شده در این مقاله استفاده ازکلید های مکمل به منظور حذف بار تزریق شده ناشی از برخورد ذره پر انرژی که اساس آن استفاده از دو سیگنال تازه سازی قبل از عملیات نوشتن و خواندن جهت جلوگیری از انتشار خطای احتمالی و در نتیجه افزایش قابلیت اطمینان نهایی سلول می باشد. هدف از این مقاله معرفی سلول جدید حافظه با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله ی کربنی است که به نسبت به مدل CMOS مشابه آن، تاخیر کمتر و نیز توان مصرفی پایین تری داشته باشد. این تحقیق به کمک ابزار شبیه سازیHSPISE در تکنولوژی 32 نانومتر و 0.18 میکرو متر بوده و با به کارگیری مدل کتابخانه ای ارایه شده در دانشگاه استندفورد انجام شده است

Keywords:

نانولوله کربنی ها , سلول ایستا با دستیابی تصادفی , تازه سازی , خطای نرم , توان مصرفی , حاشیه نویز استاتیک