شبیه سازی اثر رانش یون در سنسورهای ماسفت بر پایه 4H-SiC

اثرات نفوذ و رانش یونهای سیار در کارایی و عملکرد الکتریکی ترانزیستورهای اثر میدانی با لایه اکسید فلزی بر پایه 4H-SiC، برای کاربردهای سنسوری نظیر سیالات شیمیایی و سنسور های گازی، به خصوص در محیطهای سخت و پر تنش مورد بررسی قرار گرفته است. انحراف و نفوذ این دسته از یونهای سیار در دی الکتریک گیت، به عنوان منبعی برای تغییر در سیگنال سنسور مورد شناسایی قرار گرفت. حرکت این یونها در کنار ویژگیهای الکتریکی بدست آمده، توسط پیاده سازی مدل انحراف-نفوذ در نرم افزار شبیه سازی TCADبا موفقیت اجرا شد1. در واقع در این مقاله سعی شده است تا با استفاده از نتایج بدست آمده در گزارش قبلی 1 و براساس خروجیهای شبیه سازی شده در محیط TCAD، مقادیر ضریب نفوذ و انرژی فعال سازی برای انحراف و نفوذ یون های سیار بر پایه 4H-SiC، اصلاح و بهینه شود. همچنین تمامی مراحل انجام شبیه سازی ساخت و تحلیل I-V ، در هر دو محیط Athena و Atlas تشریح خواهد شد.

Keywords:

یونهای سیار , انحراف یون در ماسفت , 4H-SiC , سنسورهای شیمیایی , سنسور ماسفت , سیلیکون کارباید