انرژی و سطح موثر XOR/XNOR سه ورودی با روش طراحی سل سیستماتیک

در این خلاصه ، هدف معرفی مدار XOR/XNOR سه ورودی موثر به عنوان مهمترین بلاک سیستم های دیجیتال با روش طراحی سل سیستماتیک (Systematic Cell Design Methodology=SCDM) در ساختار منطق هیبریدی Complementary Metal Oxide Semmiconductor) CMOS (می باشد. SCDM ، توسعه یافته (Cell Design Methodology) CDM که نقش اساسی در طراحی موثر مدارها بازی می کند است. در ابتدا ، با تامل اولویت را هدف طراحی عمومی در ساختار پایه مدارها قرار می دهیم . این ساختار یصورت سیستماتیک بوسیله بکار گیری دیاگرام تصمیم باینری پیاده سازی می شود . پس از ان با توجه به قدرت انعطاف پذیری بالا در طراحی هدف ، SCDM پارامترهای خاصی که در سه مرحله ؛ انتخاب عاقلانه سل اولیه ، بهبود بخشیدن مکانیزم ، بهترین سایز ترانزیستور اثر می گذارد را مورد هدف قرار می دهد. در انتها نتایج XOR/XNOR سه ورودی از سویینگ کامل و خروجی بالانس شده خوب لذت خواهد برد . انها با تغییرات ولتاژ تغذیه و قرار دادن تنها دو ترانزیستور در مسیر بحرانی بهترین را انجام می دهند. همچنین برای نمایش بهتر کاهش 77%-27% در متوسط (Energy Product Delay)EPD در HSPICE بر اساس تکنولوژیμm 0.13 شبیه سازی شده است . نویسنده در ادامه مدارهای XO4,XO7,XO10 را با نرم افزار اچ اسپایس برای تکنولوژی μm 0.45 شبیه سازی نموده و در قسمت شبیه سازی با شبیه سازی های مقاله مرجع [1] مقایسه نموده است .توپولوژی شماتیک متقارن حاکی از ساده سازی و کوچک سازی لی اوت تا 32%-26% بهبود در سطح نمایش داده شده می شود.

Keywords:

کاربرد دیاگرام تصمیم گیری باینری , انرژی موثر , ساختار منطق هیبریدی CMOS , روش طراحی سل سیستماتیک , مدار NOR/XNOR سه ورودی