طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز با بهره بالا در فرکانس 3.75GHz با استفاده از تکنولوژی TSMC 0.18μm
Publish place: کنفرانس بین المللی مهندسی و فن آوری اطلاعات
Publish Year: 1396
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 678
This Paper With 12 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ICET01_027
Index date: 4 September 2017
طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز با بهره بالا در فرکانس 3.75GHz با استفاده از تکنولوژی TSMC 0.18μm abstract
در این مقاله، یک تقویت کننده ی کم نویز در فرکانس 3.75GHz با استفاده از تکنولوژی TSMC 0.18μm طراحی و شبیه سازی شده است. برای بدست آوردن مقادیر صحیح مربوط به منابع، تحلیل DC طوری انجام می شود که هم ترانزیستور در ناحیه فعال کار کند و هم شرط روشن بودن آن برقرار باشد. پس از طراحی پارامترها و شبیه سازی به وسیله نرم افزار ADS ، از اسمیت چارت جهت تطبیق امپدانس کمک گرفته و برای داشتن مقدار مطلوب ایزولاسیون خروجی از یک ترانزیستور آبشاری نیز در طراحی استفاده شد. در طراحی نهایی مقادیر تلفات بازگشتی ورودی (S11) و خروجی (S22) به ترتیب 12dB - و 24dB- بدست آمد، همچنین ایزولاسیون معکوس (S12) بهتر از 28dB - می باشد. علاوه بر این مقدار بهره و عدد نویز به ترتیب 22dB و 0.6dB شده و مقادیر نسبت ولتاژ موج ایستا در ورودی و خروجی 1.6 و 1.1 می باشد که بیانگر تطبیق در ورودی و خروجی است. از نظر پایداری مقدار فاکتور پایداری یا K برابر با 1.2 و ∆ و μ به ترتیب 0.46 و 1.39 بدست آمده که نشان می دهد مدار دارای پایداری قطعی می باشد. در این طراحی همچنین مدار از نظر هارمونیک و منحنی توان مورد بررسی قرار گرفت و مشخص شد هارمونیک دوم به میزان 50dB تضعیف شده و تا توان 27dB - به صورت خطی عمل می کند.
طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز با بهره بالا در فرکانس 3.75GHz با استفاده از تکنولوژی TSMC 0.18μm Keywords:
طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز با بهره بالا در فرکانس 3.75GHz با استفاده از تکنولوژی TSMC 0.18μm authors
زهرا عارف دارابی
گروه مهندسی برق، واحد داراب، دانشگاه آزاد اسلامی، داراب، ایران
مجتبی صادقی
گروه مهندسی برق، واحد شیراز، دانشگاه آزاد اسلامی، شیراز، ایران -