ساختار الگترونیکی نقاط کوانتومی خود سازمان InAs/GaAs با شکل ها و اندازه های مختلف
Publish place: 9th Conference on Condensed Matter
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 2,433
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMC09_175
تاریخ نمایه سازی: 6 دی 1387
Abstract:
در این مقاله برای مطالعه وابستگی توابع موج و حالت های الکترونیکی نقاط کوانتومی InAs/GaAs به تغییرات اندازه و شکل نقاط کوانتومی، یک مدل سه بعدی فرمولبندی می شود. شکل های QD مورد بررسی مکعب، استوانه ای و هرمی می باشد و مدل ارائه شده برای بررسی ساختار الکترونیکی بر پایه تقریب جرم موثر و به روش بسط موج تخت است. نتایج محاسبات نشان دهنده تاثیرات زیاد شکل و اندازه QDs بر ساختار الکترونی آن ها می باشد.
Authors