الکترولس فیلم های نازک مس بر زیر لایه سیلیکون وبررسی اثر دمابررشد آنها
Publish place: 9th Conference on Condensed Matter
Publish Year: 1387
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,353
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
CMC09_185
Index date: 26 December 2008
الکترولس فیلم های نازک مس بر زیر لایه سیلیکون وبررسی اثر دمابررشد آنها abstract
در این تحقیق فیلم های نازک مس ازنمک CuSO4 .5H2O در حضور فرمآلدهید به عنوان واسطه کاهش برسطح زیر لایه نیمرسانای سیلیکون به روش الکترولس تهیه شدند وساختارآن ها با استفاده از دستگاه XRD مورد بررسی قرار گرفت. با استفاده از میکروسکوپ SEM ریخت شناسی وترکیب شیمیایی نمونه ها مطالعه شد. سپس اثردما بر فرآیند رشد مورد مطالعه قرار گرفت و دمای بهینه جهت داشتن لایه ای همگن ویکنواخت بین 57-54 درجه سانتیگراد تعیین گردید.
الکترولس فیلم های نازک مس بر زیر لایه سیلیکون وبررسی اثر دمابررشد آنها authors
ایرج کاظمی نژاد
گروه فیزیک، دانشگاه شهید چمران، اهواز