بررسی اثر کوچک سازی اندازه گیت و تاثیر لایه سرپوش شاتکی بر روی عملکرد ترانزیستور AlGaN/GaN HEMT
Publish place: 9th Conference on Condensed Matter
Publish Year: 1387
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 5,325
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
CMC09_228
Index date: 26 December 2008
بررسی اثر کوچک سازی اندازه گیت و تاثیر لایه سرپوش شاتکی بر روی عملکرد ترانزیستور AlGaN/GaN HEMT abstract
یک مدل تحلیلی جامع برای محاسبه جریان و پارامترهای سیگنال کوچک مانند در این مقاله gm و فرکانس قطع برای قطعه HEMT (ترانزیستور با تحرک پذیری بالا) به منظور بررسی عملکرد میکروویو قطعه ارائه شده است. همچنین وابستگی عملکرد قطعه همت به پارامترهای فیزیکی از جمله اندازه گیت و حضور سر پوش شاتکی مورد بررسی قرارگرفته و مقادیر مناسب پارامتر ها برای بهینه سازی ساختار و بهبود عملکرد قطعه تعیین شده اند.
بررسی اثر کوچک سازی اندازه گیت و تاثیر لایه سرپوش شاتکی بر روی عملکرد ترانزیستور AlGaN/GaN HEMT authors
صدیقه نیکی پار
پژوهشکده فیزیک کاربردی دانشگاه تبریز
اصغر عسگری
گروه فیزیک, دانشگاه تربیت معلم آذربایجان