یک OTA بهبود یافته بهره بالا با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنیبرای کاربردهای ولتاژ پایین و توان پایین
Publish Year: 1395
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 708
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
NCNNN01_122
Index date: 26 September 2017
یک OTA بهبود یافته بهره بالا با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنیبرای کاربردهای ولتاژ پایین و توان پایین abstract
در این مقاله یک تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی OTA دو طبقه بهینه شده با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنی CNTFET ارایه شده است. اولین طبقه این OTA یک مسیر پیشرو جهت حذف سیگنالهای حالت مشترک و دومین طبقه، فیدبک حالت مشترک جهت تثبیت ولتاژ حالت مشترک خروجی دارا میباشد. این OTA با تکنولوژی32nm CNTFET طراحی و شبیه سازی شده است. ولتاژ کاری این مدار 0.6 V بوده و بهره dc آن 93.81 dB میباشد. فرکانس کاری بهره واحد UGF حاصله برابر با MHz 8.51 بوده و حد فاز آن 52 ͦ است. توان مصرفی ساختار پیشنهادی با بار خازنی 13 پیکو فاراد و بار مقاومتی 100 کیلو اهم μW 74.77 بوده و برای کاربردهای ولتاژ پایین و توان پایین مناسب است. براساس شبیه سازی های انجام گرفته این ساختار حتی در ولتاژ تغذیه 0/5 ولت نیز عملکرد ممتازی از خود نشان می دهد.
یک OTA بهبود یافته بهره بالا با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنیبرای کاربردهای ولتاژ پایین و توان پایین Keywords:
تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی OTA , ساختار دو طبقه , ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربنی CNTFET , ولتاژ پایین و توان پایین
یک OTA بهبود یافته بهره بالا با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنیبرای کاربردهای ولتاژ پایین و توان پایین authors
امیر باغی رهین
مربی، گروه مهندسی برق، واحد سردرود، دانشگاه آزاد اسلامی، سردرود ، ایران
وحید باغی رهین
مربی، گروه مهندسی برق، واحد سردرود، دانشگاه آزاد اسلامی، سردرود، ایران