طراحی گیت XOR هفت ورودی مبتنی بر ترانزیستورهای نانو لوله کربنی
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 743
This Paper With 16 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ENGIEERCONF01_002
تاریخ نمایه سازی: 4 مهر 1396
Abstract:
نانولوله های کربنی به علت مشخصات الکتریکی فوق العاده خود یکی از بهترین گزینه ها به منظور جایگزینی فناوری مبتنی بر سیلیکون به شمار می روند .ترانزیستور مبتنی بر نانولوله کربنی یکی از امیدوار کننده ترین جایگزین ها برای دست یابی به مدارات دیجیتال با سرعت بالاتر و ابعاد کوچکتر می باشد. با توجه به اهمیت گیت XOR در بهبود تکنولوژی کامپیوتر و الکترونیک که در جهان امروز دارند و با توجه به محدودیت تعداد ورودی در طراحی گیت XOR با CMOS معمول، ارایه روشی مناسب برای طراحی گیت های XOR با تعداد ورودی بالا مورد توجه می باشد. در این مقاله گیت XOR هفت ورودی مبتنی بر ترانزیستور نانو لوله کربنی بر اساس یک روش طراحی جدید با استفاده از HSPICE در تکنولوژی 32 نانو متر شبیه سازی شده اند. بر اساس نتایج بدست آمده گیت های طراحی شده بر اساس ترانزیستور نانو لوله کربنی دارای تعداد ترانزیستور کمتر ، توان مصرفی و تاخیر انتشار بهبود یافته تری نسبت به گیت های XOR بر مبنای تکنولوژی معمولی CMOS هستند.
Keywords:
Authors
میلاد قطب دینی
گروه برق ، واحد یزد ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
فخرالسادات رستگاری
گروه برق ، واحد یزد ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
فرحناز ذاکریان
گروه برق ، واحد یزد ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد (مربی)