طراحی یک تقویت کننده توان MMIC با مدل دو گیت Anglove ترانزیستور Hemt- GaN
Publish place: دومین کنفرانس سراسری مهندسی برق، کامپیوتر و فناوری اطلاعات
Publish Year: 1395
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 509
This Paper With 14 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ECIE02_004
Index date: 26 September 2017
طراحی یک تقویت کننده توان MMIC با مدل دو گیت Anglove ترانزیستور Hemt- GaN abstract
تقویت کننده های توان یک بخش کلیدی در هر فرستنده هستند ، که پرمصرف ترین بلوک فرستنده می باشند. کاهش این توان مصرفی و افزایش راندمان در دهه اخیر بسیار مورد توجه بوده است. در این مقاله مابه طراحی یک تقویت کننده توان MMIC با مدل دو گیت Angloveترانزیستور HEMT-GaN می پردازیم . در نرم افزار ADS مدلی برای تکنولوژی نیترید گالیم ارایه نشده است و مدل ترانزیستور این شرکت ها در ایران وجود ندارد .پس در ابتدای هر طراحی نیاز مبرم به داشتن یک نمونه مدل کامل ترانزیستور نیترید گالیم احساس می شود.ما در این مقاله با استخراج حداقل 70پارامتر ترانزیستورتوان نیترید گالیم و با استفاده از مدل آنگلاو موجود در ADS یک قطعه کتابخانه ای می سازیم و تمامی آزمایشات لازم را روی آن انجام می دهیم.
طراحی یک تقویت کننده توان MMIC با مدل دو گیت Anglove ترانزیستور Hemt- GaN Keywords:
طراحی یک تقویت کننده توان MMIC با مدل دو گیت Anglove ترانزیستور Hemt- GaN authors
سپیده محمدی
دانشجوی کارشناسی ارشد ، گروه برق ، واحد آشتیان ، دانشگاه آزاد اسلامی ، آشتیان ، ایران
شعبان رضایی برجلو
استاد یار ، گروه برق ، واحد آشتیان ، دانشگاه آزاد اسلامی ، آشتیان ، ایران