آرایه آنتن های میکرواستریپ پچ با ساختار زمین ناقص برای بهبود خواص تشعشعی

Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 918

This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ITCT04_092

تاریخ نمایه سازی: 17 آبان 1396

Abstract:

ساختارهای زمین ناقص برای بهبود خلوص پلاریزاسیون در میدان های تشعشعی مورد استفاده قرار می گیرند از این نوع ساختارها برای اولین بار در سال2005 برای بهبهود خواص تشعشعی آنتن های میکرواستریپ استفاده شد.از آن به بعد چند نوع طراحی و آنتن جدید برای کاربردهای مختلف با این هندسه ساختاری زده شد. در این ساختارها پیش بینی می شد که سطح Xp بین 10 تا 15 دسی بل و به صورتی خاص در صفحه ی H کاهش پیدا کند که در نتیجه بیشتر از 25 دسی بل ایزولاسیون بین coو cross در صفحات اصلی بوجود می آید که باعث بهبود خلوص پلاریزاسیون می گردد،در این مقاله برای چهار نسبت مختلف عرض به طول پچ 8,0و1و3,1و6,1 بررسی هایی صورت گرفته است که به کمک ساختارهای زمین ناقص این نقص های شکسته باعث تاثیر در خواص تشعشعی صفحه ی H می شوند.این کار خلوص پلاریزاسیون رو به ما می دهد که ایزولاسیون بین میدان های co و cross بالای 25 دسی بل است..

Authors

فرزاد کرمی

دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق مخابرات میدان دانشگاه سمنان

سجاد حسین پور

دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق مخابرات میدان دانشگاه سمنان

پژمان رضایی

دانشیار گروه مخابرات دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان