رسانندگی الکتریکی حاملین بار در نیمرسانای گالیوم آرسناید آلاییده با Cr و Co مورد استفاده در سلول های خورشیدی و آشکارسازهای فیبر نوری
Publish Year: 1393
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 406
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
JR_VIBME-5-3_001
Index date: 13 January 2018
رسانندگی الکتریکی حاملین بار در نیمرسانای گالیوم آرسناید آلاییده با Cr و Co مورد استفاده در سلول های خورشیدی و آشکارسازهای فیبر نوری abstract
گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه های III‐V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به zinc blende متبلور می شود. این ساختار به ساختار شبکه ی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع اتمی به تناوب توسط یکی از اتم های آرسنیک یا گالیوم اشغال می شود. از این نیمرسانای استفاده گسترده ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند مدارهای مجتمع، دیودهای مادون قرمز، دیودهای لیزری و سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله رسانندگی الکتریکی نیمرسانای GaAs از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانایی GaAs هستند به ترتیب با عناصر Co و Cr آلاییده شده اند. این ناخالصی ها ناهمگنی زیادی را در شبکه GaAs به وجود میآورند و از این لحاظ مکانیزم پراکندگی خاصی را برای حاملین بار در GaAs ایجاد می کنند. در این کار تجربی رسانندگی الکتریکی حاملین در گستر هی دمایی (400-100) درجه کلوین برای هر دو نمونه مذکور مورد بررسی قرار گرفته است. به دلیل بزرگ بودن گاف انرژی GaAs، در بازه دمایی فوق رسانش از نوع رسانش غیرذاتی است.
رسانندگی الکتریکی حاملین بار در نیمرسانای گالیوم آرسناید آلاییده با Cr و Co مورد استفاده در سلول های خورشیدی و آشکارسازهای فیبر نوری Keywords:
رسانندگی الکتریکی حاملین بار در نیمرسانای گالیوم آرسناید آلاییده با Cr و Co مورد استفاده در سلول های خورشیدی و آشکارسازهای فیبر نوری authors
حسن خالقی
مربی، گروه علوم پایه، دانشگاه آزاد اسلامی، سمنان، ایران