مدلسازی لیزر نیمه هادی مخابراتی نقطه کوانتومی
Publish place: 5th Nanotechnology Students Conference
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 2,552
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NANOSC05_155
تاریخ نمایه سازی: 22 اسفند 1387
Abstract:
در این تحقیق، لیزر نیمه هادی نقطه کوانتومیInAs/GaAs با در نظر گرفتن حالتهای پایه، برانگیخته، پیوستار و وتینگ و لحاظ کردن اثرات ساختاری ناشی از فرآیند ساخت نظیر پهن شدگی غیر همگن بهره، و محیطی نظیر درجه حرارت و پهن شدگی همگن، آنالیز شده است. نتایج حاصل از شبیه سازی نشان میدهد که با انتخاب مناسب پارامترهای لیزر نقطه کوانتومی نظیر جریان تزریقی، درجه حرارت، پهن شدگی همگن و زمانهای و اهلش، می توان به هر یک از حالت های لیزش پایه، برانگیخته و پایه- براگیخته بطور همزمان رسید. نتایج بدست آمده از مدل در توصیف وابستگی عملکرد لیزر به درجه حرارت و جریان تزریقی، تطابق خوبی با نتایج عملی دارد. در مدل مطرح شده از معادلات نرخ استاندارد استفاده شده است.
Keywords:
Authors
محمدحسن یاوری
تهران، دانشگاه تربیت مدرس، دانشکده مهندسی برق
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :