یک تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی جدید دو طبقه مبتنی بر ترانزیستور اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET) در تکنولوژی 16 نانومتر
Publish Year: 1396
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 766
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ARSE01_009
Index date: 12 January 2018
یک تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی جدید دو طبقه مبتنی بر ترانزیستور اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET) در تکنولوژی 16 نانومتر abstract
در این مقاله، یک تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی (OTA) جدید کاملا تفاضلی بر اساس ترانزیستورهای اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET) ارایه می شود. برای دستیابی به بهره ولتاژ بالاتر از وارونگر double CMOS pair به جای وارونگر CMOS معمولی و یک ساختار دو طبقه استفاده شده است. اولین طبقه این OTA متشکل از یک مسیر پیشرو جهت حذف سیگنال های حالت مشترک و دومین طبقه شامل یک فیدبک حالت مشترک جهت تثبیت ولتاژ حالت مشترک خروجی می شود. این OTA با تکنولوژی 16nm MOS-GNRFET CMOS طراحی و شبیه سازی شده است. ولتاژ کاری این مدار 1 ولت بوده و بهره dc آن 40 دسی بل می باشد. فرکانس بهره واحد (UGF) برابر با 13/25 مگا هرتز بوده و حد فاز آن °58 است. توان مصرفی OTA پیشنهادی با بار خازنی 13 پیکو فاراد و بار مقاومتی 100 کیلو اهم در خروجی برابر با 77/5 میکرو وات بوده و برای کاربردهای ولتاژ پایین و توان پایین مناسب است.
یک تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی جدید دو طبقه مبتنی بر ترانزیستور اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET) در تکنولوژی 16 نانومتر Keywords:
تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی (OTA) , ترانزیستور اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET) , وارونگر double CMOS pair , ساختار دو طبقه , ولتاژ پایین و توان پایین
یک تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی جدید دو طبقه مبتنی بر ترانزیستور اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET) در تکنولوژی 16 نانومتر authors
امیر باغی رهین
گروه مهندسی برق، واحد سردرود، دانشگاه آزاد اسلامی، سردرود، ایران
وحید باغی رهین
گروه مهندسی برق، واحد سردرود، دانشگاه آزاد اسلامی، سردرود، ایران