یک تمام جمع کننده با نشتی فوق العاده پایین و سرعت بالا با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET)
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 740
This Paper With 8 Page And PDF and WORD Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ARSE01_011
تاریخ نمایه سازی: 22 دی 1396
Abstract:
ترانزیستورهای اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET ها) رقیب تکنولوژی MOSFET معمولی با توجه به قابلیت های درایو جریان بالاتر، حمل و نقل بالستیک، حاصلضرب تاخیر در توان کمتر و پایداری حرارتی بالاترشان می باشند. بر اساس این خواص امیدوار کننده GNRFET ها، در این مقاله نخست یک سلول XOR جدید ولتاژ پایین با نشتی فوق العاده مبتنی بر ترانزیستور اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET) پیشنهاد شده و سپس در ساختار یک سلول تمام جمع کننده یک بیتی استفاده شده است. سلول تمام جمع کننده پیشنهاد شده دارای 18 ترانزیستور می باشد. این طرح از ویژگی های منحصر به فرد GNRFET های شبه MOSFET برای دستیابی به عملکرد بالا بهره می گیرد. شبیه سازی ها با استفاده از HSPICE Synopsys با فن آوری 16nm MOS-GNRFET به انجام رسیدند. نتایج شبیه سازی برتری طراحی پیشنهادی از نظر سرعت و حاصلضرب تاخیر در توان (PDP) را در مقایسه با ساختارهای مرسوم نشان می دهد.
Keywords:
سلول XOR , تمام جمع کننده یک بیتی , ترانزیستور اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET) , حاصلضرب تاخیر در توان (PDP) , ولتاژ پایین
Authors
امیر باغی رهین
گروه مهندسی برق، واحد سردرود، دانشگاه آزاد اسلامی، سردرود، ایران
وحید باغی رهین
گروه مهندسی برق، واحد سردرود، دانشگاه آزاد اسلامی، سردرود، ایران