اتصالات اهمی غیر آلیاژی با رشد MOCVD +-InxGa1-xAs روی n-GaAs در دیود لیزر پرقدرت InGaAs/GaAs
Publish place: 12th Iranian Student Conference on Electrical Engieering
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 2,381
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE12_231
تاریخ نمایه سازی: 29 اسفند 1387
Abstract:
کاربرد رشد MOCVD لایه پوشاننده n+-InxGa1-xAs برای ایجاد یک اتصال اهمی غیر آلیاژی با ادوات بر پایه GaAs بررسی شده است. مقاومت اتصال ویژه خیلی پایینی (فرمول در متن اصلی مقاله) با استفاده از سیستم اتصال فلزی معمول Ni/AuGe/Ni/Au اندازه گیری شده است.یک مدل نظری برای تونل زنی از سد نیمه رسانا – فلز با استفاده از تقریب WKB بدست آمده است که تناسب خوبی را با نتایج آزمایشگاهی نشان می دهد. ساخت HPDL با استفاده از این لایه های پوشاننده ،InGaAs مقاومت بسیار پایین قطعه را تضمین می کند، که در مقایسه با ساختارهای HPDLی که از لایه های پوشاننده GaAs استفاده می کنند، چهار برابر کمتر است.
Keywords:
Authors
حسن قاضی اسدی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده فنی و مهندسی
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :