سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

طراحی تقویت کننده ی کم نویز، کم توان با رویکرد بهبود خطینگی برای کاربردهای بی سیم 10.6-3.1 مبتنی بر تکنولوژی 130CMOS نانومتر

Publish Year: 1396
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 604

This Paper With 16 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

ICELE02_030

Index date: 26 February 2018

طراحی تقویت کننده ی کم نویز، کم توان با رویکرد بهبود خطینگی برای کاربردهای بی سیم 10.6-3.1 مبتنی بر تکنولوژی 130CMOS نانومتر abstract

دراین مقاله روند طراحی یک تقویت کننده ی کمنویز، کمتوان، دوطبقه سورس مشترک را ارایه میدهیم. در ساختار پیشنهادی جهت بهبود خطینگی در توان و ولتاژ تغذیهی کم، از روش های تطبیق مشتق اصلاح شده و تغذیه ی مستقیم بدنه بهره گرفته شده است. سلفهای Ls، Lg و خازن Cex در طبقه سورس مشترک اول، بهمنظور ایجاد همزمان تطبیق امپدانس ورودی و نویزکم طراحی شده است. روش تغذیهی مستقیم بدنه برای کاهش ولتاژ تغذیه در طبقه های اول و دوم به کار رفته و درنهایت منجر به کاهش توان مصرفی میشود. طبقه دوم طراحی شده جهت بهبود خطینگی مدار، متشکل از دو ترانزیستور موازی سورس مشترک NMOS و سلف ارتقای بهرهLd1 است. ترانزیستور اصلی و کمکی M2 و M3 به ترتیب در ناحیه وارونگی شدید و وارونگی متوسط تغذیه شده اند. با حضور ترانزیستور M3 مولفه های غیرخطی مرتبه سوم جریان خروجی کاهش پیدا میکند و منجر به افزایش نقطه تداخل ورودی مرتبه سوم میگردد. نتایج شبیه سازی با استفاده از تکنولوژی CMOS 130 nm در ولتاژ تغذیه 0/6 V، تقویت کننده دارای توان مصرفی5/71mW، بهره ولتاژ به طور متوسط 11 dB با تغییرات ±1dB در باند فرکانسی5 -11 GHz، شکل نویز 0/755-3 dB در باند 3-11 GHz، تطبیق امپدانس ورودی کمتر-10 در طول کل باند فرکانسی و +5dBm IIP3 است.

طراحی تقویت کننده ی کم نویز، کم توان با رویکرد بهبود خطینگی برای کاربردهای بی سیم 10.6-3.1 مبتنی بر تکنولوژی 130CMOS نانومتر Keywords:

طراحی تقویت کننده ی کم نویز، کم توان با رویکرد بهبود خطینگی برای کاربردهای بی سیم 10.6-3.1 مبتنی بر تکنولوژی 130CMOS نانومتر authors

مریم رفعتی

دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی

پرویز امیری

استادیار، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی

مقاله فارسی "طراحی تقویت کننده ی کم نویز، کم توان با رویکرد بهبود خطینگی برای کاربردهای بی سیم 10.6-3.1 مبتنی بر تکنولوژی 130CMOS نانومتر" توسط مریم رفعتی، دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی؛ پرویز امیری، استادیار، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی نوشته شده و در سال 1396 پس از تایید کمیته علمی دومین کنفرانس بین المللی مهندسی برق پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله تقویت کننده کمنویز، فراپهن باند، کم ولتاژ، کمتوان، خطینگی بالا هستند. این مقاله در تاریخ 7 اسفند 1396 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 604 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که دراین مقاله روند طراحی یک تقویت کننده ی کمنویز، کمتوان، دوطبقه سورس مشترک را ارایه میدهیم. در ساختار پیشنهادی جهت بهبود خطینگی در توان و ولتاژ تغذیهی کم، از روش های تطبیق مشتق اصلاح شده و تغذیه ی مستقیم بدنه بهره گرفته شده است. سلفهای Ls، Lg و خازن Cex در طبقه سورس مشترک اول، بهمنظور ایجاد همزمان تطبیق امپدانس ... . برای دانلود فایل کامل مقاله طراحی تقویت کننده ی کم نویز، کم توان با رویکرد بهبود خطینگی برای کاربردهای بی سیم 10.6-3.1 مبتنی بر تکنولوژی 130CMOS نانومتر با 16 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.