طراحی و پیشنهاد مدار مخصوص کلیدزنی ماسفت اینورتر پل H در ولتاژ راه اندازی 24 ولت
Publish place: 2nd International Conference on Electrical Engineering
Publish Year: 1396
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 984
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ICELE02_044
Index date: 26 February 2018
طراحی و پیشنهاد مدار مخصوص کلیدزنی ماسفت اینورتر پل H در ولتاژ راه اندازی 24 ولت abstract
در این مقاله طراحی یک مدار کلیدزنی برای نیمه هادی قدرت ،کانال N با استفاده از اجزای گسسته در ولتاژ راه اندازی 24 ولت پیشنهاد شده است.در این شبیه سازی از روش انتقال سطحی خاصی ، برای افزایش ولتاژ گیت که بالاتر از ولتاژ منبع میباشد،به کار گرفته شده است.برای مشاهده عملکرد مدار کلیدزنی طراحی شده، مدار در فرکانس های ورودی مختلف اعمالی به گیت نیمه هادی (از 50 هرتز تا 150 کیلوهرتز)آزمایش شده است.در این مقاله از ماسفت IRF730 به عنوان نیمه هادی کلیدزنی استفاده شده است.در نتیجه،در عملکرد نشان داده شده دیده میشود که مدار کلیدزنی تا فرکانس 100 کیلوهرتز به خوبی کار خواهد کرد.
طراحی و پیشنهاد مدار مخصوص کلیدزنی ماسفت اینورتر پل H در ولتاژ راه اندازی 24 ولت Keywords:
طراحی و پیشنهاد مدار مخصوص کلیدزنی ماسفت اینورتر پل H در ولتاژ راه اندازی 24 ولت authors
محمد سلمانی کویخی
گروه برق،دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر،دانشگاه سمنان،سمنان،ایران
سیده شیما خرامی
گروه برق،دانشکده فنی و مهندسی،دانشگاه سردار جنگل گیلان،گیلان،ایران