طراحی سلول حافظه ایستا 15 ترانزیستوری مقاوم در برابر خطای نرم
Publish place: 2nd International Conference on Electrical Engineering
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 554
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICELE02_354
تاریخ نمایه سازی: 7 اسفند 1396
Abstract:
امروزه با پیشرفت تکنولوژی و افزایش سرعت و فرکانس کاری مدارهای روی تراشه و همچنین حافظه ها، نیاز به حافظه های با سرعت بالا و مقاوم در برابر ذررات پر انرژی منجر شونده افزایش یافته است. به خصوص در سیستم های ماهواره ایی که بیشتر از سایر ادوات الکترونیک در معرض پرتو های پر انرژی قرار دارند. در این مقاله یک سلول حافظه ایستا با استفاده از 15 ترانزیستور طوری طراحی گردیده که هم سرعت بالا را براورده کند و هم در مقابل خطای نرم مقاوم باشد، در این طراحی حاشیه نویز استاتیکی در مقابل سلول 6 ترانزیستوری پایه ایی افزایش یافته است. شبیه سازی در تکنولوژی 0/18 مایکرون با استفاده از نرم افزارهای Hspice و Cadance صورت گرفته است.
Keywords:
خطای نرم , سیستم روی تراشه – (Soc) ذررات آلفا- حاشیه نویز استاتیک
Authors
مصطفی خیاطی
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق گرایش الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی
فرهاد رزاقیان
استادیار و عضو هییت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب
رضا صباغی ندوشن
استادیار و عضو هییت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی