طراحی و شبیه سازی فین فت دوگیتی نانومتری مبتنی بر تکنولوژهای Si، GaAs و InGaAs
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 432
This Paper With 10 Page And PDF and WORD Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IRCEM02_039
تاریخ نمایه سازی: 7 اسفند 1396
Abstract:
در این مقاله ساختار فین فت دوگیتی-دوماده ای با اتصال گیت شاتکی با underlap بررسی شده است. جریان درین، رسانایی متقابل، رسانایی خروجی، خازن گیت-سورس و فرکانس قطع ترانزیستور برای کاربردهای آنالوگ و فرکانس بالا برای نیمه هادی های Si، GaAs و InGaAs بررسی شده است. بر اساس نتایج شبیه سازی با کاهش طول underlap جریان درین افزایش خواهد یافت. همینطور نتایج شبیه سازی نشان می دهد که برای InGaAs بالاترین جریان درین، بالاترین رسانایی متقابل، بالاترین رسانایی خروجی و بالاترین فرکانس قطع را در ولتاژ گیت کمتر از 0/6 ولت خواهیم داشت. بر اساس نتایج شبیه سازی GaAs بالاترین ضریب تولید رسانایی متقابل را از خود نشان می دهد.
Keywords:
Authors
محمداسمعیل زارع داودیجانی
دانشجوی دکتری الکترونیک، گروه برق، واحد گرمسار، دانشگاه آزاد اسلامی، گرمسار، ایران
عبدالله عباسی
گروه برق، واحد گرمسار، دانشگاه آزاد اسلامی، گرمسار، ایران