مدلسازی جریان کوانتمی ترانزیستورهای تک الکترونی با دو جزیره گرافنی

ترانزیستور تک الکترونی قطعه ای در ابعاد نانومتر است که از تونل زنی الکترون برای تقویت جریان آن استفاده می شود. این ترانزیستور از چهار قسمت سورس، درین، گیت و بخشی به نام جزیره تشکیل شده است. برای کارکرد در دمای اتاق باید سایز جزیره به ابعاد زیر ده نانومتر کاهش یابد. بنابراین جزیره کوچک می شود و تغییرات کوچک در شکل جزیره باعث تغییرات غیر قابل پیش بینی و قابل توجهی در محدوده سطوح انرژی و در نتیجه باعث تغییر در ولتاژ دستگاه خواهد شد. در این تحقیق از جزیره هایی از جنس ماده پایه گرافنی استفاده و توانایی این ماده ی گرافنی در رفع این محدودیت بررسی می شود. سپس جریان ترانزیستور با دو جزیره گرافنی مدل سازی و با جریان ترانزیستورهای با نقاط کوانتمی سیلیکونی مقایسه می شود.

Keywords:

ترانزیستور تک الکترونی , گرافن , ضریب عبور , جریان کوانتمی , جزیره گرافنی