ارزیابی اثر فاصله بین اتمی در رسانش الکترونی نانوسیم های سیلیکونی
Publish place: National Congress on Chemistry and nano-chemistry, from research to national development
Publish Year: 1396
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 641
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
MRSS01_194
Index date: 18 April 2018
ارزیابی اثر فاصله بین اتمی در رسانش الکترونی نانوسیم های سیلیکونی abstract
محاسبات Abintio در سطح محاسباتی HF و با مجموعه پایه 6-31G* برای ارزیابی فاصله بین اتمی در رسانش الکترونی نانوسیم های سیلیکونی به کار گرفته شده است. نانوساختارهای سیلیکونی با فاصله های بین اتمی متفاوت در سیستم های یک بعدی مورد بررسی قرار گرفتند. این نانوساختارها دارای تقارن های متفاوتی هستند و بسته به نوع تقارن، فواصل بین اتمی نیز متفاوت خواهند بود. هدف از این مطالعه، بدست آوردن فاصله ی مناسب، بین اتم های سیلیکون است که درآن فاصله بیشترین رسانش سیستم ملاحظه می شود.
ارزیابی اثر فاصله بین اتمی در رسانش الکترونی نانوسیم های سیلیکونی Keywords:
ارزیابی اثر فاصله بین اتمی در رسانش الکترونی نانوسیم های سیلیکونی authors
سیدمحمد اعظمی
دانشگاه یاسوج گروه شیمی
سیده زینب موسوی محمره
دانشگاه یاسوج گروه شیمی