ارزیابی اثر فاصله بین اتمی در رسانش الکترونی نانوسیم های سیلیکونی

محاسبات Abintio در سطح محاسباتی HF و با مجموعه پایه 6-31G* برای ارزیابی فاصله بین اتمی در رسانش الکترونی نانوسیم های سیلیکونی به کار گرفته شده است. نانوساختارهای سیلیکونی با فاصله های بین اتمی متفاوت در سیستم های یک بعدی مورد بررسی قرار گرفتند. این نانوساختارها دارای تقارن های متفاوتی هستند و بسته به نوع تقارن، فواصل بین اتمی نیز متفاوت خواهند بود. هدف از این مطالعه، بدست آوردن فاصله ی مناسب، بین اتم های سیلیکون است که درآن فاصله بیشترین رسانش سیستم ملاحظه می شود.

Keywords:

رسانش الکترونی , نانوساختار , سیلیکون , HLG