سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

طراحی و مدل سازی مبدل های آنالوگ به دیجیتال سازگار با دمای اتاق به کمک نانو ترانزیستورهای تک الکترونی با جزیره کوانتوم نقطه ای نیمه هادی

Publish Year: 1396
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 380

This Paper With 12 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

JR_JIAE-14-2_008

Index date: 21 April 2018

طراحی و مدل سازی مبدل های آنالوگ به دیجیتال سازگار با دمای اتاق به کمک نانو ترانزیستورهای تک الکترونی با جزیره کوانتوم نقطه ای نیمه هادی abstract

در این مقاله، جزییات طراحی و مدل سازی یک مبدل آنالوگ به دیجیتال سازگار با دمای اتاق با استفاده از نانو ترانزیستورهای تک الکترونی با جزیره کوانتوم نقطه ای سیلیکونی ارایه شده است. در مقایسه با نانو ترانزیستورهای تک الکترونی با جزیره فلزی، استفاده از جزایر سیلیکونی در حد چند نانومتر سبب می شود که ترانزیستور عملکرد مطلوبی دردمای اتاق داشته باشد و نظام انسداد و نوسان کولنی آن پایدار گردد. نانو ترانزیستورهای با جزیره سیلیکونی همچنین همخوانی بیشتری با فرآیند ساخت CMOS دارند و می توان آن دو را به صورت ترکیبی و بر روی یک بستر مشترک پیاده سازی کرد. مبدل آنالوگ به دیجیتال این مقاله ، از نوسان های کولنی پایدار مشخصه جریان ولتاژ ترانزیستورهای تک الکترونی سیلیکونی در دمای اتاق بهره برداری می کند. نمونه سه بیتی شبیه سازی شده از آن با فرکانس نمونه برداری GS/s 5، از آرایش مقسم خازنی و سه زوج ترانزیستور تک الکترونی در آرایش مکمل استفاده می کند. شبیه سازی آن با استفاده از شبیه ساز مونت-کارلوی سایمون انجام گرفته است و نتایج بدست آمده حکایت از عملکرد پایدار ایستا و پویا در دمای اتاق دارد.

طراحی و مدل سازی مبدل های آنالوگ به دیجیتال سازگار با دمای اتاق به کمک نانو ترانزیستورهای تک الکترونی با جزیره کوانتوم نقطه ای نیمه هادی Keywords:

نانو ترانزیستورهای تک الکترونی , فرآیند ساخت نانو , دمای اتاق , رژیم انسداد کولنی , مبدل های آنالوگ به دیجیتال با سرعت بالا و نوسان های کولنی

طراحی و مدل سازی مبدل های آنالوگ به دیجیتال سازگار با دمای اتاق به کمک نانو ترانزیستورهای تک الکترونی با جزیره کوانتوم نقطه ای نیمه هادی authors

حامد امین زاده

دانشیار دانشکده مهندسی برق - دانشگاه پیام نور – تهران – ایران

محمد میرعلایی

کارشناسی ارشد دانشکده مهندسی برق - دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر - بوشهر ایران

محمدعلی دشتی

دانشجوی دکتری دانشکده مهندسی برق - دانشگاه آزاد اسلامی واحد شیراز - شیراز - ایران