یک نانو وایرترانزیستوراثر میدانی سیلیسیومی دورتا دورگیتی دو ماده ای با کار برد بالا
Publish Year: 1396
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 461
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ARGCONF02_003
Index date: 1 June 2018
یک نانو وایرترانزیستوراثر میدانی سیلیسیومی دورتا دورگیتی دو ماده ای با کار برد بالا abstract
در این مقاله یک ترانزیستور فین فت با ساختار استوانه ای، دوگیتی دوماده ای برای بهبود اثرات کوتاه کانال ارایه و بررسی شده است.در گیت های دو ماده ای، دو ماده ی متفاوت با توابع کار مختلف، به صورت جانبی به هم متصل می شوند. در نتیجه توزیع میدان الکتریکی در کانال نسبت به گیت های یک ماده ای یکنواخت تر شده و سرعت حامل ها هنگام ورود از سورس به کانال افزایش می یابد که این باعث بهبود جریان الکتریکی در ترانزیستور می گردد. در این ساختار، قسمتی از گیت فین فت از پلی سیلیسیم و قسمتی دیگر از آلومینیوم انتخاب شده و تاثیرات طول گیت و طول کانال بر روی عملکرد این نوع افزاره مورد مطالعه قرار میگیرد. نتایج نشان میدهند که کاهش طول کانال منجر به افزایش جریان درین میشود. همچنین در طولهای گیت کمتر میزان جریان روشن بهبود یافته میزان ولتاژ آستانه نیز کاهش مییابد. لذا این ساختار میتواند کاندید مناسبی برای ترانزیستورهای ابعاد نانو باشد.
یک نانو وایرترانزیستوراثر میدانی سیلیسیومی دورتا دورگیتی دو ماده ای با کار برد بالا Keywords:
یک نانو وایرترانزیستوراثر میدانی سیلیسیومی دورتا دورگیتی دو ماده ای با کار برد بالا authors
فرامرز عظیمی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد ورامین_ پیشوا ، دانشکده برق ، تهران
زینب رمضانی
دانشگاه آزاد اسلامی واحدورامین_پیشوا،دانشکده برق،تهران
علی اصغر اروجی
دانشگاه سمنان، دانشکده مهندسی برق وکامپیوتر، سمنان