افزایش سرعت عملکردترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نانو نوار کربن با فرم ZAZ
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 416
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CEES01_013
تاریخ نمایه سازی: 11 خرداد 1397
Abstract:
در این مقاله با استفاده از نرم افزار ATK به شبیه سازی و بررسی ترانزیستورهای Ambipolar اثر میدان نانو نوار گرافنی با فرم ZAZ می پردازیم. تاثیر پارامترهای مختلف ساختار نانو نوار گرافنی بر مشخصات ترانزیستور Ambipolar بررسی می شود. نسبت جریان روشن به خاموش ترانزیستور یکی از کاربرد های مهم در سوییچ کردن است. بنابراین در این پایان نامه روش های مختلف بهبود نسبت Ion/Ioff را بررسی می کنیم.
Keywords:
Authors
فرزاد باقری
گروه برق، دانشکده فنی و مهندسی، واحد میانه، دانشگاه آزاد اسلامی، میانه، ایران.
جمشید محمدی
گروه برق، دانشکده فنی و مهندسی، واحد میانه، دانشگاه آزاد اسلامی، میانه، ایران.
فرهاد سیروسنژاد
گروه برق، دانشکده فنی و مهندسی، واحد میانه، دانشگاه آزاد اسلامی، میانه، ایران.