اثر مدهای نقص در رفتار دو پایایی نوری بلورهای فوتونیکی یک بعدی با دولایه نقص غیرخطی

Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,283

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ICOPTICP16_084

تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1388

Abstract:

رفتار دوپایایی نوری در یک بلور فوتونیکی یک بعدی شامل دولایه نقص غیرخطی، نزدیک فرکانس مدهای نقص بررسی و مقایسه شده است. نشان داده شده که آستانه شروع دوپایایی در نزدیکی مدهای نقص شدت ورودی یکسانی دارد ولی با فاصله گرتن از مدها شدتهای آستانه ازهم فاصله می گیرند و همواره دوپایایی نوری حول مدنقصی که نزدیک به فرکانس میدان تابشی است شدت آستانه کمتری دارد. با فاصله گرفتن دولایه نقص از هم در ساختار، مدهای نقص به هم نزدیک شده ولی آستانه دوپایایی نوری در شدتهای بالاتر دیده می شود.

Authors

فاطمه مسلمی

گروه اپتیک - لیزر دانشکده فنی مهندسی بناب

کاظم جمشیدی

گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم آذربایجان

رسول صدیقی

گروه فیزیک دانشگاه شریف

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • Hou P, Chen Y, Shi J, Shen M and Wang ...
  • _ Hou P, Chen Y Shi J, Kong Q, Ge ...
  • _ Li X, Xie K, Jiang H, Opt Communca, inpress, ...
  • _ Gen J, Shi Z, Yan K, J Optoelectron. Laser ...
  • نمایش کامل مراجع