اثر تراکم ناخالصی Ga بر خواص ساختاری، اپتیکی و الکتریکی لایه های رسانای شفاف نانومتری ZnO:Ga تهیه شده به روش اسپری پایرولیزیز
Publish place: 16th Iranian Conference on Optics and Photonics (ICOP2010)
Publish Year: 1388
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,054
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ICOPTICP16_177
Index date: 9 July 2009
اثر تراکم ناخالصی Ga بر خواص ساختاری، اپتیکی و الکتریکی لایه های رسانای شفاف نانومتری ZnO:Ga تهیه شده به روش اسپری پایرولیزیز abstract
لایه های نازک اکسید روی خالص و آلایش یافته (با تراکمهای 1 تا 3درصد وزنی) گالیوم به روش اسپری پایرولیزیز برروی زیرلایه شیشه نشانده شد. تاثیر میزان ناخالصی گالیوم روی خواص ساختاری، اپتیکی و الکتریکی نمونه ها بررسی شد. طیف XRD نشانگر بسبلور بودن لایه ها با ساختار هگزاگونال و جهتگیری ترجیحی (002) بود. عبور متوسط در این نمونه ها در ناحیه مرئی حدود 90% است. گاف نواری اپتیکی آنها از 3/27eV تا 3/33eV تغییر می کند که با اثر برشتین - ماس قابل توجیه است. پهنای متوسط انرزی اورباخ در این نمونه ها در حدود 145eV بدست می آید. اندازه گیری های الکتریکی حاکی از کمینه بودن مقاومت ورقه ای در نمونه با 2% ناخالصی است که دارای بیشینه ضریب بهینگی است.
اثر تراکم ناخالصی Ga بر خواص ساختاری، اپتیکی و الکتریکی لایه های رسانای شفاف نانومتری ZnO:Ga تهیه شده به روش اسپری پایرولیزیز Keywords:
اثر تراکم ناخالصی Ga بر خواص ساختاری، اپتیکی و الکتریکی لایه های رسانای شفاف نانومتری ZnO:Ga تهیه شده به روش اسپری پایرولیزیز authors
مجتبی محمودزاده پیروحشی
دانشکده فیزیک ، دانشگاه صنعتی شاهرود، میدان هفت تیر، شاهرود
حسین عشقی
دانشکده فیزیک ، دانشگاه صنعتی شاهرود، میدان هفت تیر، شاهرود
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :