بررسی عددی تاثیر میدان مغناطیسی بر جابجایی اجباری نانوسیال آب_اکسید روی در یک انبساط ناگهانی

در این پژوهش به مطالعه عددی جریان و انتقال حرارت در یک کانال با انبساط ناگهانی پرداخته شده است. هندسه مورد نظر در نرم افزار گمبیت رسم و شبکه بندی شده و در نرم افزار فلوینت تحلیل شده است. جریان متلاطم و مدل استفاده شده در کار حاضر مدل k-ɛ می باشد. اثر کسر حجمی (ϕ=1،2،3،4%) نانوذره اکسید روی، عدد رینولدز (10000-5000) و میدان مغناطیسی (Ha=0،10، 20) بر پارامترهای جریان و انتقال حرارت بررسی شده است. در پایان مشاهده شد که افزایش میدان مغناطیسی و کسر حجمی نانوسیال باعث افزایش ضریب انتقال حرارت جابجایی و تنش برشی دیواره می شود.

Keywords:

نانوسیال , میدان مغناطیسی , انبساط ناگهانی , انتقال حرارت