شبیه سازی و تحلیل ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با مدل اشباع سرعت
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 369
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCNIEE06_138
تاریخ نمایه سازی: 1 مرداد 1397
Abstract:
در این مقاله ترانزیستور اثر میدانی با کانال نانولوله کربن با لحاظ کردن اشباع حاملها شبیهسازی شده است. تاثیر پارامترهایی مانند طول نانولوله، قطر نانولوله وسرعت اشباع حاملها بر مشخصات الکترونیکی ترانزیستور بررسی و تحلیل شده است. برای CNT-FET با لحاظ کردن اشباع حاملها، منحنی جریان-ولتاژ قبل و بعد از اشباع حامل رفتار متفاوتی از خود نشان میدهد. همینطور رفتار تک قطبی و Ambipolarترانزیستور استخراج و بررسی شده است. بر اساس نتایج شبیهسازی، با کاهش طول نانولوله، افزایش قطر نانولوله و افازیش سرعت اشباع حامل-ها جریان درین افزایش مییابد.
Keywords:
Authors
محمداسمعیل زارع داویجانی
گروه مهندسی الکترونیک، واحد گرمسار، دانشگاه آزاد اسلامی، گرمسار، ایران
محمدرضا نوری زاده اردبیلی
گروه مهندسی الکترونیک، واحد گرمسار، دانشگاه آزاد اسلامی، گرمسار، ایران