سلول حافظه SRAM هفت ترانزیستوری کم توان با حاشیه ایستای نویز بهبود یافته
Publish place: The second International Conference on Electrical Engineering, Computer Science and Information Technology
Publish Year: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 817
This Paper With 12 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ECICONFE02_058
تاریخ نمایه سازی: 11 شهریور 1397
Abstract:
در این مقاله با ارایه دو طرح هفت ترانزیستوری برای سلول حافظ، علاوه بر کاهش توان نوشتن و خواندن میزان حاشیه ایستای تویز نیز در مقایسه با طرح حافظه شش ترانزیستوری متداول بهبود یافته است. همچنین با استفاده از ترانزیستورهای با ولتاژ آستانه بالا میزان توان نشتی در سلول حافظه کاهش یافته است نوبت شبیه سازی ها تحت نرم افزار Cadence و تکنولوژی فایل 180 نانومتر صورت پذیرفته است. با مقایسه نتایج شبیه سازی جهان پهلوان دینامیکی نوشتن طرح مذکور به اندازه 58/81% کاهش و میزان حاشیه ایستای نویز به اندازه 10/31% بهبود یافته است.
Keywords:
Authors
محمدحسین کریمی
آزمایشگاه میکرو الکترونیک و میکرو سنسور - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه تبریز
جواد فرونچی
آزمایشگاه میکرو الکترونیک و میکرو سنسور- دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه تبریز