بررسی مشخصه های الکتریکی نانو ترانزیستور تونلی کانال P با پیوند نامتجانس :InAs-GaAs0/1Sb0/9

در این مقاله ترانزیستور اثر میدانی تونلی نامتجانس InAs-GaAs0/1Sb0/9 نوع p مورد مطالعه و شبیه سازی قرار گرفته و اثر پارامترهای ساختاری و فیزیکی بر مشخصه های الکتریکی آن تبیین گردید. مطابق نتایج بدست آمده افزایش تراکم ناخالصی سورس احتمال تونل زنی در ترانزیستور را افزایش داده و موجب بهبود جریان حالت روشن میشود. همچنین با کاهش ضخامت بدنه و ضخامت اکسید گیت به نسبت جریان حالت روشن به خاموش 5×1011 و سویینگ زیر آستانه 13 mV/dec دست یافتیم. در ادامه، تحلیل آماری داده ها جهت مشخص نمودن میزان تغییرات جریان حالت روشن، جریان حالت خاموش و سویینگ زیر آستانه نسبت به پارامترهای ساختاری افزاره انجام شده است. تابع کار گیت، آلایش سورس/ درین و ضخامت عایق گیت از پارامترهای تاثیر گذار بر مشخصه الکتریکی ترانزیستور تونلی میباشد.

Keywords:

ترانزیستور تونلی , تونلزنی نوار به نوار , پیوند نامتجانس , سویینگ زیر آستانه