بررسی پارامترهای مختلف جهت بهینه سازی فتو ولتای مادون قرمز بر پایه ی HgCdTe

در این پژوهش، به ارایه یک آشکارساز فتوولتای مادون قرمز در گستره ی طول موجی 8-12 میکرومتر می پردازیم. این آشکارساز با توجه به تاثیر متقابل پارامترهای مختلفی نظیر دما، تراکم ناخالصی های دهنده وپذیرنده ضخامت بر روی پاسخ دهی آشکارساز، نویز و آشکارسازی ویژه محاسبه، مدلسازی و طراحی شده است. به منظور کاهش جریان تاریک و افزایش نسبت سیگنال به نوفه در نیمرسانای MCT (مرکوری کادمیوم تلوراید) می بایستی زمان باز ترکیب را افزایش داد. مهمترین مکانیسم های باز ترکیب در نیمرسانای MCT، مکانیسم های باز ترکیب تشعشعی، اوژه و شاکلی رید می باشند. نتایج شبیه سازی تایید می کند که مکانیسم اوژه با افزایش جریان تاریکی و کاهش جریان نوری در حساسیت پذیری سنسور بسیار موثر است. مکانیسم ها را در شرایط تاریکی و روشنایی بررسی شده است، نتایج بدست آمده می تواند برای بهینه سازی قطعه و طراحی و حساسیت آشکار ساز مورد استفاده قرار گرفته شود.

Keywords:

آشکارساز , نیمرسانا , مکانیسم , تاریکی , اوژه , MCT