سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

Login
PapersConferencesJournals

طراحی و تحلیل گیت های منطقی با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو تیوب کربنی تک گیتی و دو گیتی

Publish place: 1st Conference on Participles of Electrical and Computer Engineering
Publish Year: 1396
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 833

This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download

DOWNLOAD Paper

Export:

Link to this Paper:
https://civilica.com/doc/774084

Document National Code:

PECCON01_031

Index date: 15 September 2018

طراحی و تحلیل گیت های منطقی با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو تیوب کربنی تک گیتی و دو گیتی abstract

تکنولوژی CMOS رایج فرصت های زیادی را در زمینه تجهیزات الکترونیکی فراهم کرده است. ترانزیستورهای اثرمیدان نانو تیوب کربنی (CNTFET) ، تکنولوزی جدیدی برای استفاده در زمینه ادوات الکترونیکی هستند. بنا به محدودیت هایی که CMOS در سایز داشت، ترانزیستورهای اثرمیدان نانو تیوب کربنی به دلیل سایزی که در مقیاس نانو دارند، جانشین مناسبی برای CMOS ها هستند. ترانزیستورهای اثر میدان نانو تیوب کربنی همچنین استحکام بالایی از خود نشان می دهند، مصرف توان پایینی دارند، در برابر نویز مقاوم هستند و دارای بهره بالایی نیز هستند. در این مقاله از ترانزیستورهای اثرمیدان نانو تیوب کربنی برای طراحی گیت های منطقی با استفاده از مدل دانشگاه Stanford و PTM(predictive technology model) بطور مستقل استفاده شده است. در شبیه سازی HSPICE برای گیت های منطقی طراحی شده با استفاده از مدل دانشگاه Southampton و PTM بازده های خروجی به طور پیوسته با تغییر سطح ولتاژ تغذیه با دمای ثابت محاسبه شده است. در این مقاله همچنین مزایای طراحی یک مدار قابل پیکربندی مجدد با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو تیوب کربنی دوگیتی (DG-CNTFET) نیز نشان داده شده است.

طراحی و تحلیل گیت های منطقی با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو تیوب کربنی تک گیتی و دو گیتی Keywords:

طراحی و تحلیل گیت های منطقی با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو تیوب کربنی تک گیتی و دو گیتی authors

علی نادری ساعتلو

دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی ارومیه ارومیه، ایران

هدیه سنبلی

دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی ارومیه ارومیه، ایران

پریسا نعمتی

دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی ارومیه ارومیه، ایران

آیسان هژبری

دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی ارومیه ارومیه، ایران

مقاله فارسی "طراحی و تحلیل گیت های منطقی با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو تیوب کربنی تک گیتی و دو گیتی" توسط علی نادری ساعتلو، دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی ارومیه ارومیه، ایران؛ هدیه سنبلی، دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی ارومیه ارومیه، ایران؛ پریسا نعمتی، دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی ارومیه ارومیه، ایران؛ آیسان هژبری، دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی ارومیه ارومیه، ایران نوشته شده و در سال 1396 پس از تایید کمیته علمی اولین کنفرانس ملی اصول مهندسی برق و کامپیوتر پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله ترانزیستور PTM، CNTFET ، توان مصرفی، CNTFET دو گیته هستند. این مقاله در تاریخ 24 شهریور 1397 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 833 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که تکنولوژی CMOS رایج فرصت های زیادی را در زمینه تجهیزات الکترونیکی فراهم کرده است. ترانزیستورهای اثرمیدان نانو تیوب کربنی (CNTFET) ، تکنولوزی جدیدی برای استفاده در زمینه ادوات الکترونیکی هستند. بنا به محدودیت هایی که CMOS در سایز داشت، ترانزیستورهای اثرمیدان نانو تیوب کربنی به دلیل سایزی که در مقیاس نانو دارند، جانشین مناسبی برای CMOS ها هستند. ترانزیستورهای اثر ... . برای دانلود فایل کامل مقاله طراحی و تحلیل گیت های منطقی با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو تیوب کربنی تک گیتی و دو گیتی با 6 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.