طراحی و تحلیل گیت های منطقی با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو تیوب کربنی تک گیتی و دو گیتی

تکنولوژی CMOS رایج فرصت های زیادی را در زمینه تجهیزات الکترونیکی فراهم کرده است. ترانزیستورهای اثرمیدان نانو تیوب کربنی (CNTFET) ، تکنولوزی جدیدی برای استفاده در زمینه ادوات الکترونیکی هستند. بنا به محدودیت هایی که CMOS در سایز داشت، ترانزیستورهای اثرمیدان نانو تیوب کربنی به دلیل سایزی که در مقیاس نانو دارند، جانشین مناسبی برای CMOS ها هستند. ترانزیستورهای اثر میدان نانو تیوب کربنی همچنین استحکام بالایی از خود نشان می دهند، مصرف توان پایینی دارند، در برابر نویز مقاوم هستند و دارای بهره بالایی نیز هستند. در این مقاله از ترانزیستورهای اثرمیدان نانو تیوب کربنی برای طراحی گیت های منطقی با استفاده از مدل دانشگاه Stanford و PTM(predictive technology model) بطور مستقل استفاده شده است. در شبیه سازی HSPICE برای گیت های منطقی طراحی شده با استفاده از مدل دانشگاه Southampton و PTM بازده های خروجی به طور پیوسته با تغییر سطح ولتاژ تغذیه با دمای ثابت محاسبه شده است. در این مقاله همچنین مزایای طراحی یک مدار قابل پیکربندی مجدد با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو تیوب کربنی دوگیتی (DG-CNTFET) نیز نشان داده شده است.

Keywords:

ترانزیستور PTM , CNTFET , توان مصرفی , CNTFET دو گیته