بررسی، مطالعه و شبیه سازی دیود بهمنی سیلیکونی (SiAPD)

Publish Year: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 554

This Paper With 14 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

IRCIVILC02_113

تاریخ نمایه سازی: 13 مهر 1397

Abstract:

مدل سازی ادوات نیمه هادی در چالش برانگیزترین فعالیت های تحقیقاتی اجباری شده است. پیدا کردن یک ابزار قوی که اینادوات را مدل سازی کند یکی از اهداف محققان است. COMSOL Multiphysics ابزاری است که برای شبیه سازی و توصیف این طراحی انتخاب شده است. تنظیم مدل ارایه شده و همچنین خروجی های مختلف مانند میدان الکتریکی و توزیع پتانسیلالکتریکی، مشخصه های I-V، و دیگر پارامترها نمایش داده شده اند. جریان خروجی، جذابیتی از یک جریان را نشان می دهد که شامل سه بخش است: تونل زنی تله-کمک، تونل زنی باند به باند و بهمن. این نواحی جریان علاوه بر مقدار بالای میدان الکتریکی به دست آمده 10(5)v/cm برای دیودهای بهمنی سیلیکونی SiAPD، متعارف می باشند. این امکان برای استفاده از این ابزار برای آنالیز و شبیه سازی SiAPD شرح داده شده است.

Keywords:

کامسول , نیمه هادی و دیود , مدلسازی , سیلیکن

Authors

رضا ثابت قدم

دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه حکیم سبزواری

نادر برآبادی

دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه حکیم سبزواری

ناصر برآبادی

دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه حکیم سبزواری