طراحی تقویت کننده کم نویز با فرکانس کاری Ghz 4.2
Publish place: National Conference on Knowledge and Technology of Electrical Engineering, Computer and Mechanics of Iran
Publish Year: 1397
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 612
This Paper With 13 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
UTCONF02_114
Index date: 5 October 2018
طراحی تقویت کننده کم نویز با فرکانس کاری Ghz 4.2 abstract
تقویت کننده های کم نویز معمولا اولین بلوک بعد از آنتن هستند و وظیفه آنها تقویت سیگنال دریافتی ازآنتن بدون افزودن هرگونه نویز و اعوجاج است. از مهمترین مشخصات تقویت کننده های کمنویز بهره بالا، توان مصرفی کم، تطبیق مناسب امپدانس ورودی و خروجی، عدد نویز کم و حجم کم آنها است. از این رو از فناوری CMOS به دلیل داشتن مشخصاتی چون ضریب کیفیت بالا، قابلیت مجتمع سازی بالا، توان کم مصرفی و فرکانس قطع بالا در ساخت تقویت کننده های کمنویز در رنج فرکانسی اولترا واید باند استفاده میشود. تاکنون تقویت کننده های کم نویز مبتنی بر تکنینکهای مختلف طراحی و ساخته شده است اما هنگاهی که بحث مجتمع سازی تقویت کننده های کمنویز مطرح میشود، مشکلات عدیده حل نشده ای مانند عدم تطبیق مناسب امپدانس ورودی و خروجی به دلیل وجود عناصر پارازیتی در هنگام ساخت و توان تلفاتی بالا به وجود میآید.در این مقاله تقویت کننده کم نویز با بهره بالا و تطبیق امپدانس مناسب همراه با عدد نویز کم طراحی شده است. تقویت کننده طراحی شده در تکنولوژی µm CMOS TSMC0.81 با استفاده از نرم افزار ADS شبیه سازی شده است. از این رو در این مقاله با استفاد از تکنولوژی cmos و بهره گرفتن از خواص سلفی و خازنی سعی شده است پارامتر های ذکر شده را بهبود بخشیده و به اعدادی دست پیدا کرد که نشان دهنده این باشد که تقویت کننده به نحوه خوبی کار می کند.
طراحی تقویت کننده کم نویز با فرکانس کاری Ghz 4.2 Keywords:
طراحی تقویت کننده کم نویز با فرکانس کاری Ghz 4.2 authors
علیرضا اشرف زاده مارنونی
کارشناس ارشد برق الکترونیک،دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساوه.