پژوهشگر گرامی،
با تشکر از انتخاب سیویلیکا به عنوان مرجع تامین مستندات و مقالات علمی
در این صفحه میتوانید فایل کامل Paper با عنوان «تصحیح و مدل سازی ناپایداری ولتاژ آستانه (دریفت) در ترانزیستور اثر میدانی فلز-اکسید-نیم رسانا (MOSFET) باکانال کوتاه و کانال بلند در تکنولوژی CMOS» را که شامل 12 صفحه است دریافت نمایید.

Buy and Download

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این Paper را که دارای 12 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:
فایل PDF Paper با قیمت (20,000) تومان

انتخاب درگاه



عنوان مقاله: تصحیح و مدل سازی ناپایداری ولتاژ آستانه (دریفت) در ترانزیستور اثر میدانی فلز-اکسید-نیم رسانا (MOSFET) باکانال کوتاه و کانال بلند در تکنولوژی CMOS
قیمت فایل مقاله: 0 تومان
تعداد صفحات: 12