تصحیح و مدل سازی ناپایداری ولتاژ آستانه (دریفت) در ترانزیستور اثر میدانی فلز-اکسید-نیم رسانا (MOSFET) باکانال کوتاه و کانال بلند در تکنولوژی CMOS
Publish place: National Conference on Knowledge and Technology of Electrical Engineering, Computer and Mechanics of Iran
Publish Year: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 559
This Paper With 12 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
UTCONF02_115
تاریخ نمایه سازی: 13 مهر 1397
Abstract:
در این مقاله به بهبود عملکرد ترانزیستور ماسفت پرداخته شده است. در این تحقیق نوع مستطیلی را انتخاب کرده و در ابتدا پارامترهای ساختاری آن مانند ضخامت اکسید، طول گیت و میزان ناخالصی را برای رسیدن به پاسخ بهتر بهینه می کنیم و سپس یک ساختار جدید با استفاده از دو گیت مختلف برای آن پیشنهاد می دهیم تا به عملکرد بهتری برسیم. هدف اصلی این مقاله بهبود اثرات کوتاه کانال ترانزیستور ماسفت مستطیلی می باشد.
Keywords:
Authors
علیرضا اشرف زاده مارنونی
کارشناس ارشد برق الکترونیک،دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساوه.