ترانزیستور اثر میدان فلز- نیمه هادی با ناحیه بدون ناخالصی در طرف درین برای اصلاح چگالی حامل ها و کاربردهای توان بالا
Publish place: Journal Of Modeling in Engineering، Vol: 13، Issue: 43
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 356
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JME-13-43_010
تاریخ نمایه سازی: 20 آبان 1397
Abstract:
در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز -نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی است . نتایج شبیه سازی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنهادی به ترتیب 57 ̃و 50 ̃نسبت به ساختار مسفت با گیت تو رفته دوبل در طرف سورس بهبود یافته است. بنابر این ساختار پیشنهادی عملکرد بهتری در کاربردهای توان بالا خواهد داشت.
Keywords:
ترانزیستور اثر میدان فلز-نیمه هادی کربید سیلیسیم , گیت تو رفته دوبل , ولتاژ شکست , ماکزیمم توان خروجی
Authors
علی اصغر اروجی
استاد، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه سمنان
اکرم عنبرحیدری
کارشناس ارشد، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه سمنان
زینب رمضانی
کارشناس ارشد، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه سمنان